DIODO SCHOTTKY

El diodo Schottky es un componente semiconductor único que se distingue por su rápida velocidad de conmutación y baja caída de voltaje directo. Su diseño innovador implica una unión metal-semiconductor en lugar de la unión p-n que se encuentra en los diodos convencionales.

Estructura Especial:

  • A diferencia de los diodos tradicionales, el diodo Schottky tiene una unión formada por un metal (como aluminio o platino) y un semiconductor (como silicio). Esta unión metal-semiconductor permite una rápida liberación y captura de portadores de carga (principalmente electrones) en comparación con las uniones p-n convencionales.
  • A diferencia del diodo PN de silicio, cuya tensión directa típica es de 0.6 a 0.75V, el diodo Schottky tiene una menor tensión directa de 0.15 a 0.45V. Esta menor necesidad de voltaje le permite conmutar más rápidamente, lo que lo convierte en una elección ideal en entornos donde la eficiencia y la velocidad son fundamentales.

Funcionamiento del Diodo Schottky

  • Polarización Directa:
    • En la polarización directa, el ánodo del diodo Schottky se conecta a un voltaje positivo, mientras que el cátodo se conecta a un voltaje negativo. Esto facilita el flujo de corriente a través del diodo.
    • Dado que el diodo Schottky tiene una unión metal-semiconductor, la barrera de potencial es baja, permitiendo que los electrones se muevan fácilmente desde el metal al semiconductor.
    • La conducción de electrones a través de la unión metal-semiconductor es más rápida que en un diodo convencional, lo que resulta en una caída de voltaje directo (Vf) más baja.
  • Polarización Inversa:
    • En la polarización inversa, el ánodo se conecta a un voltaje negativo, mientras que el cátodo se conecta a un voltaje positivo.
    • La unión metal-semiconductor en el diodo Schottky tiene una barrera de potencial mucho más baja que la unión p-n de un diodo convencional.
    • Debido a esta baja barrera, la polarización inversa del diodo Schottky permite que los electrones atraviesen la unión con facilidad, resultando en una corriente de fuga inversa más elevada en comparación con los diodos p-n.

Curva Característica del Diodo Schottky

La curva característica del diodo Schottky muestra cómo responde ante diferentes voltajes. En polarización directa, deja pasar la corriente fácilmente con poca pérdida de voltaje. En polarización inversa, permite un poco de corriente, pero la pérdida de voltaje es menor que en otros diodos. Su curva refleja su capacidad para conducir rápida y eficientemente, especialmente en situaciones de alta frecuencia.

Aplicaciones

  1. Rectificación de Alta Frecuencia:
    • Debido a su rápida velocidad de conmutación, los diodos Schottky son ideales para la rectificación de señales de alta frecuencia. Se utilizan en rectificadores de alta velocidad en fuentes de alimentación conmutadas.
  2. Protección contra Polaridad Invertida:
    • Los diodos Schottky se utilizan a menudo en aplicaciones donde es crucial proteger contra la aplicación accidental de polaridad invertida. Actúan como «guardianes» para evitar daños en los circuitos cuando la polaridad es incorrecta.
  3. Circuitos Reguladores de Baja Pérdida:
    • En circuitos reguladores de baja tensión, los diodos Schottky se emplean para reducir las pérdidas de energía gracias a su baja caída de voltaje directo. Esto es especialmente valioso en aplicaciones de eficiencia energética.
  4. Fuentes de Alimentación Conmutadas (Switching Power Supplies):
    • Los diodos Schottky se utilizan en rectificadores de salida de fuentes de alimentación conmutadas debido a su velocidad de conmutación y baja caída de voltaje, contribuyendo a la eficiencia general del sistema.
  5. Protección contra Sobretensiones:
    • En algunos casos, se utilizan diodos Schottky para proteger circuitos contra sobretensiones. Ayudan a limitar la tensión a un nivel seguro durante eventos de sobrecarga.
  6. Circuitos de Radiofrecuencia (RF):
    • Debido a su capacidad de conmutación rápida y baja capacitancia, los diodos Schottky son útiles en circuitos de RF, como detectores, mezcladores y conmutadores de muestreo y retención.
  7. Diodos de Barrera Schottky (Schottky Barrier Diodes, SBD):
    • Estos diodos Schottky específicos se utilizan en aplicaciones de alta frecuencia y microondas, así como en electrónica de radio y comunicación.
Ejemplo de aplicaciones típicas de diodos Schottky en fuentes de alimentación de modo conmutado incluyen su uso para protección de potencia inversa (D1) y supresión transitoria (D2).

Los diodos Schottky son útiles en combinación con transistores NPN para prevenir la saturación en circuitos lógicos. Esta colaboración disminuye el tiempo de retraso de propagación, haciéndolos eficientes en circuitos TTL de Schottky, especialmente al utilizar chips de memoria.
Los diodos Schottky se emplean en conjunto con diodos convencionales para prevenir altas frecuencias. Estos circuitos teóricos, que incluyen resistencias en serie o paralelo, permiten calcular corriente y tensión con precisión en diversas aplicaciones.

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